◆节省空间且提高功率密度和能效。
◆1A至3A器件反向电压从45V到150V，正向压降为0.36V。
日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF(DO-219AB)封装新型1A、2A和3A器件，扩充其表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间，反向电压从45V到150V，3A电流等级达到业内SMF封装器件最高水平。
目前，3A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF封装，具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸3.7mmx1.8mm，高度降低至0.98mm，比SMA封装薄46%，电路板占位空间减少49%。
1A、2A和3A器件正向压降分别为0.36V、0.40V和0.43V，可降低续流二极管和极性保护二极管功耗，提高效率。应用于商业和工业用高频逆变器、DC/DC转换器等，器件还提供AEC-Q101认证版本，可用于汽车应用。
新整流器最高工作结温达+175℃，MSL潮湿敏感度等级达到J-STD-020的1级，LF最高峰值为+260℃。器件适用于自动贴片工艺要求，符合RoHS标准，无卤素。
新款TMBS整流器现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。
