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ROHM的SiC被应用于UAES的车载充电器
作者: 未名 来源: 汽车制动网 日期: 2020年3月17日

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器
全球知名半导体制造商ROHM(罗姆,总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UAES公司”)的电动汽车车载充电器(On Board Charger,以下简称“OBC”)。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。
 

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与IGBT等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一种能够显著降低损耗的半导体,在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。
 
ROHM于2010年全球首家开始SiC MOSFET的量产,作为SiC功率元器件的领军企业,ROHM一直在推动世界先进的产品开发。另外,在汽车领域,ROHM于2012年在业界率先开始供应车载产品,并在电动汽车的快速充电用车载充电器领域拥有很高的市场份额,该产品在电动汽车的电机和逆变器中的采用也日益加速。
 
此次,ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC产品采用,与以往的OBC相比,新OBC所在单元的效率提高了1%(效率高达95.7%,功率损耗比以往降低约20%)。并且,这一先进的解决方案获得了UAES颁发的2019年度最佳技术进步奖。
 
未来,ROHM将作为SiC功率元器件的领军企业,不断壮大产品阵容,并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势,继续提供有助于下一代汽车技术创新的电源解决方案。
 
采用SiC MOSFET的好处
在大功率(高电压×大电流)范围中,与Si-IGBT相比,SiC MOSFET具有“开关损耗和传导损耗小”、“抗温度变化能力强”等优点。得益于这些优点,当SiC MOSFET用于电动汽车的车载充电器和DC/DC转换器等产品中时,可降低功率转换时的损耗并实现散热部件的小型化,高频工作还可实现线圈小型化,从而有助于提高应用的效率、减少部件数量并缩减安装面积。
 
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ROHM的SiC功率元器件开发历史
 
术语解说:
*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写),金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构。用作开关元件。
 
*2) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管),同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。
 
*3)传导损耗、开关损耗。因元器件结构的缘故,MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时(ON状态时),受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时(开关动作时)产生的损耗。

(转载请注明来源: 汽车制动网/chebrake.com 责任编辑:Jack)

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