ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）4月21日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
 
ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（Tj=175℃）的导通电阻降低约30%（相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较）。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。
 

 
第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。
 
另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。