全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）6月25日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。
 

 
该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且，与低损耗特性之间存在权衡关系的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒（μs）。因此，新产品非常有助于应用产品进一步提高效率和可靠性。
 
产品阵容包括采用TO-247N封装的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12个型号和裸芯片形式的“SG83xxWN”10个型号。另外，ROHM也正在开发TO-247-4L封装的“RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR”12个型号的产品。
 
本系列产品已于2026年5月起以月产100万个的规模投入量产（样品价格1,300日元/个，不含税）。TO-247N封装产品也支持网售。此外，ROHM还提供各种设计模型和电路设计所需的资料，用户可从ROHM官网下载。
 
ROHM计划今后进一步扩展同一封装形式的型号阵容，并开发采用TO-263L封装和顶部散热（TSC：Top-Side Cooling）封装的小型且可表面贴装的IGBT产品。致力于通过扩充高性能的IGBT产品阵容，助力汽车和工业设备应用实现高效驱动及小型化。