顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
 
2026年7月9日，全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。
 

 
新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。
 
另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。
 
新产品已于2026年6月开始量产（样品价格：5500日元/个，不含税），且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。
 
未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。